东芝、闪迪今天同时宣布了世界上最先进的15nm nand闪存工艺，很快就都会投入量产。hdd硬盘的工作方式导致其工作期间不能出现震动，一旦磁头与磁盘亲密接触很容易形成磁盘坏道最终导致硬盘损坏。
东芝会在4月底抢先开始批量生产15nm工艺的闪存颗粒，地点在位于日本三重县四日市业务部的fab 5。
这是东芝最先进的闪存晶圆厂，目前拥有业内领先的第二代19nm工艺，但很快就会被新的15nm所取代。
fab 5工厂的二期工程也正在建设中，将来也会用于生产15nm闪存。
东芝表示，15nm工艺除了缩小芯片尺寸之外，还改进了外围电路技术，能够获得和第二代19nm工艺相同的写入速度，同时借助新的高速接口，数据传输率提高了30％，达到533mbps。
东芝首批量产的15nm工艺闪存颗粒是2bpc mlc 128gb(16gb)，还在研究用于3bpc tlc颗粒，最晚6月份量产，配套的主控芯片也在开发之中，可用于智能手机、平板机、笔记本。
闪迪的量产时间稍晚一些，而且比较模糊，只说是今年下半年，可同时用于mlc、tlc闪存。
闪迪没说量产的具体地方，但是考虑到fab 5其实是东芝、闪迪合资兴建的，估计也会在那里进行。
新工艺依然搭配了闪迪的all-bit-line(abl)架构技术，拥有专利的变成算法、多级数据存储管理机制。
不过关于寿命问题，两家都完全没有提及。我们知道，闪存颗粒工艺越先进，就要付出擦写周期越少的代价，不知道在15nm工艺上表现如何？又怎样解决这一矛盾？